Рассмотрим механизм пластической деформации монокристалла. Этот кристалл появляется в чистом виде.
Основными механизмами пластической деформации являются скольжение и двойникование.
Слайд является более общим механизмом пластической деформации.
Благодаря комплексному и равномерному сжатию происходит только упругая деформация. Атомы сближаются, пока сила отталкивания атомов не уравновесит сжимающую нагрузку.
При полном равномерном растяжении возникает только упругая деформация. Поскольку расстояние между атомами увеличивается, и в конечном итоге связь между атомами разрывается и происходит хрупкое разрушение, полное равномерное сжатие и удлинение не приводят к пластической деформации.
- Основным типом нагрузки является тот, который обеспечивает необратимые смещения атомов, не нарушая связи между атомами, вызывая появление сдвигов.
Таким образом, основным механизмом пластической деформации является относительное скольжение атомов внутри кристаллической решетки, которое вызывается только сдвигом.
Это скольжение, как описано выше, происходит вдоль очень специфических кристаллических плоскостей и направлений, и, прежде всего, вдоль плоскости, где атомы наиболее плотно упакованы, и вдоль направления наименьшего расстояния между ними. вы.
Твиннинг не очень распространен. В результате происходит мгновенный зеркальный перенос между частью кристаллита и другой частью. Никакая дальнейшая пластическая деформация не может быть выполнена на двойной плоскости.
- Происходит при затруднении скольжения (высокая скорость деформации, низкая температура). Окончательная деформация этого эффекта меньше, чем при скольжении.
- Слип, основной механизм пластической деформации, вызван сдвиговым напряжением.
Движение атомов в плоскости скольжения происходит только тогда, когда касательное напряжение в этой плоскости достигает четко определенного критического значения.
Под действием напряжения сдвига (даже незначительного) дислокации на поверхности скольжения могут легко перемещаться.
Дислокация движется через межатомное расстояние из-за небольшой перегруппировки атомов («внеплоскостная» эстафета в направлении сдвига), и большинство атомов кристаллов остаются на месте.
При отсутствии препятствий проскальзывание дислокации под действием продолжается по всему кристаллу, некоторые из которых сдвигаются относительно остальной части периода решетки. Это полное основное поведение пластической деформации.
Различают винтовые дислокации — один параметр обеспечивает плавное смещение части решетки по сравнению с другими частями. Вокруг такой оси дислокации спиральная поверхность образована «правой» или «левой» спиралью, то есть правой или левой дислокацией.
Предполагается, что реальные дислокации переплетены: частично скручены и частично окантованы.
- По мере развития деформации можно предположить, что дислокации появляются на поверхности, удаляются из кристалла, улучшают их структуру, и сопротивление скольжению имеет тенденцию становиться теоретическим. Фактически, когда Ho деформируется, дислокации образуют ядра и накапливаются. Другими словами, плотность в объеме кристалла увеличивается.
Смотрите также:
Примеры решения задач по материаловедению
| Литье выжиманием. | К какому виду относится деформация стали с 0,3% углерода при температуре нагрева до 500°С. |
| Смазочно-охлаждающие среды в зоне резания. | Инструментальные материалы – титановые сплавы. |
