Оглавление:
Твердые диэлектрики ионного строения
- Твердых диэлектриков с ионной структурой Кристаллический диэлектрик с плотной решеточной упаковкой Ионом (в кварце, слюде, корундовой керамике и др.)
Таким образом, диэлектрические потери в данном случае обусловлены определенной проводимостью, а величина тангенса угла потерь невелика (tg8-10″4), которая незначительно возрастает при нагревании(рис. 4.11, а, б, кривая II),
по мере увеличения удельной электропроводности (рис. 4.11, а, кривая I). Людмила Фирмаль
Наличие примесей, искажающих кристаллическую решетку приводит к значительному увеличению tg8. Аморфный и кристаллический диэлектрик с рыхлой решетчатой оболочкой (в неорганическом стекле, Асбесте, электрокерамике и др.)),
Помимо электронной и ионной поляризации, существует ионная релаксация, которая вызывает ионную релаксацию WA один Рис 4.11. Общий вид зависимости tgS от температуры t диэлектрика ионной
- структуры выглядит следующим образом: (а) образование tg7 электрическими проводимостями с рыхлым решеточным заполнением (II) и плотным решеточным заполнением ионами (7) и ионно-релаксационной поляризацией tg8 (2); (б)
зависимость температуры (ii) (МГц) TGS от (1 МГц) от (7) и Пошлина. Диэлектрические потери в этом случае обусловлены проводимостью и поляризацией ионной релаксации (см. Рисунок). 4.11, а, кривые 1 и 2).
Диэлектрические потери в этих диэлектриках выше(тг-10-2), чем в кристаллических диэлектриках с плотным заполнением решетки ионами, сильно зависящими от температуры Людмила Фирмаль
(рис. 4.11 B кривая D): при нагревании tgS значительно возрастает (ср. Кривая / и / / Р и С. 4.11). Значение TGS сильно было повлияно на термической обработкой. Изолятор обожженного стекла имеет TGS=0.0073, затвердетый изолятор tgS=0.125.
Смотрите также:
| Твердые диэлектрики молекулярного строения | Диэлектрические потери. Определения и основные понятия |
| Полимерные диэлектрики | Диэлектрические потери в газообразных диэлектриках |
