Полупроводниковые материалы Ge и Si

Полупроводниковые материалы Ge и Si

• Полупроводниковые материалы Ge и Si Ge является редким элементом, который рассеян в природе, его содержание в земной коре составляет 7-10%, атомная масса Ge составляет 72,5%, температура плавления составляет 958,5°C, температура кипения составляет около 2700°C. пыль, образующаяся в результате сжигания угля Ge; сульфидная руда Cu-Pb-Zn и концентрат, извлеченный из Ge-содержащей пыли, захваченной при плавке Cu.

Технология производства Ge заключается в преобразовании дисоксида в четыре хлорида Ge, рафинировании и преобразовании четырех хлоридов в два окиси, а затем в восстановлении.

Конверсия Ge в четыреххлористый диоксид GeO2 4-4HCI GeCl4 4-2H2O Людмила Фирмаль

Конверсия тетрахлорида Ge в диоксид GeGI4 +(x4-2) Н2О= GeO2xH2O4-4НС1 Восстановление диоксида H2 Ge в трубчатой электропечи протекает в соответствии с реакцией Гео, 4-2Н2 = Гэ 4-2NgO При 1000-1100°С происходит слияние Ge. Si-один из самых распространенных элементов в земной коре, атомный вес Si 28,086;температура плавления 1415°с, температура кипения около 2600°С.

технология генерации Si отличается от технологии генерации Ge. Например, при восстановлении C2 Кокса из SiO2 в дуговой печи получают Si с чистотой до 97%.Восстановление будет происходить по реакции Ѕіо2 / 2С = si 4 / 2ПК Хлорирование промышленного Si дает тетрахлорид Si, который является основой для производства чистого Si. Тетрахлорид кремния восстанавливает Н2 по реакции SiCl4 4-2H2 = Si 4-4HC1

• Для получения чистых Ge и Si их подвергают зонному плавлению. Искусственные монокристаллы полупроводниковых материалов часто растут, поскольку в поликристаллических природных материалах происходят неконтролируемые изменения электрических свойств. При выращивании монокристалла стержень, содержащий Кристалл этого материала, становится Si melt.

It это зародыш будущего монокристалла. Через некоторое время стержень извлекают из расплава со скоростью до 1-2 МДж. Таким образом, Монокристалл нужного размера будет постепенно расти.

Затем для изготовления полупроводниковых приборов Монокристалл разрезают на пластину. Людмила Фирмаль

Существенным недостатком при выращивании монокристалла из расплава является неравномерное распределение (а следовательно, и электрические свойства) по длине кристалла,»спиральная»макрогерогенность распределения примесей в кристалле, структурные дефекты кристаллов Ge и Si. Ge и Si обозначены буквенно-цифровой системой.

Таким образом, ШБ-легированного GE в электрон указывает вузов. Зал-GDLG легированных га Гэ. Численное значение представляет собой диффузионную длину неосновных носителей заряда в знаменателе (с удельным электрическим сопротивлением (ol (- l)) в числителе. «.»).Например, HELS 0.3 / 0.2. Отверстия в монокристалле Si отмечены KMD-2 (число означает электрическое сопротивление), а Монокристалл Si отмечен KME-2.

Смотрите также:

Предмет материаловедение

Стеклянные материалы общие сведения	Ферромагнитная керамика
Основные свойства	Общие сведения и свойства